Micron lucrează activ la introducerea în producție a tehnologiei sale NAND Flash de generație următoare, G11, compania anunțând că G11 va fi prima sa tehnologie 3D NAND Flash.
În prezent, tehnologia G9 este utilizată în întregul portofoliu de produse Micron, iar compania a creat module de stocare NAND Flash folosind tehnologii de scalare care depășesc 200 de straturi. Totuși, pe măsură ce tehnologia actuală se apropie de limitele sale, următoarea etapă presupune explorarea suprapunerii verticale a straturilor.
Prin G11, Micron urmărește să utilizeze stivuirea 3D NAND wafer-on-wafer, cu scopul de a dubla capacitatea modulelor NAND. Astfel, Micron urmează oficial exemplul gigantului chinez din domeniul memoriilor NAND, YMTC, care produce de ceva timp memorii NAND cu straturi 3D suprapuse, folosind tehnologia Xtacking.
Acest proces este realizat prin împărțirea funcțiilor fiecărui wafer în componente separate. Unul este proiectat pentru a conține celulele de memorie, în timp ce celălalt găzduiește circuitele logice periferice.
Cele două componente sunt apoi combinate prin intermediul tehnologiei de lipire hibridă (hybrid bonding), în cadrul procesului de stivuire wafer-to-wafer. Lipirea hibridă creează o conexiune permanentă între două cipuri din siliciu, folosind protuberanțe metalice integrate care fuzionează pentru a forma un singur cip.
Mai multe matrițe de siliciu (dies) sau chiar wafere întregi pot fi conectate prin suprapunerea părților posterioare ale celor două cipuri.
Prin această metodă, Micron intenționează să înceapă livrările de memorii NAND cu 400 de straturi în a doua jumătate a anului 2027, adică în mai puțin de un an. Astfel, ne apropiem de o utilizare comercială tot mai extinsă a tehnologiei 3D bazate pe siliciu.
În ceea ce privește capacitatea și viteza, Micron anunță că G11 va dubla densitatea de stocare pentru fiecare milimetru pătrat. Dacă generația G9 oferă o densitate de 21 Gb/mm², generația G11 vizează atingerea valorii de 42 Gb/mm².
Alte îmbunătățiri includ o viteză de intrare/ieșire (I/O) mult mai mare, care crește de la 3.600 MT/s în cazul G9 la 5.400 MT/s pentru G11. În același timp, eficiența ar urma să se îmbunătățească semnificativ, consumul de energie pentru transferul fiecărui bit fiind estimat să scadă cu 25%.
Performanța reală va depinde de numărul de cipuri 3D NAND utilizate în SSD, precum și de controlerul, firmware-ul și interfața prin care SSD-ul comunică cu sistemul gazdă.
Prin urmare, deocamdată nu știm ce viteze vor putea obține utilizatorii în practică. Totuși, puteți fi siguri că vom testa aceste produse în viitor.
About the Author
