TSMC, cel mai mare și mai avansat producător de semiconductori din lume, se confruntă de mai mulți ani cu stagnarea progreselor în ceea ce privește miniaturizarea memoriei SRAM. Progresele în reducerea dimensiunii SRAM au încetinit de ani buni.
De la introducerea procesului de fabricație N5 pe 5 nm, în 2020, dimensiunea unei celule SRAM de tip 6T s-a menținut la aproximativ 0,021 µm². Deși densitatea tranzistorilor din componentele logice a crescut, memoria nu a beneficiat de progrese similare.
Totuși, odată cu introducerea nodului A14, a cărui producție este programată să înceapă în 2028, dimensiunea celulei SRAM 6T de la TSMC ar urma să scadă semnificativ, până la 0,017 µm², ceea ce reprezintă o reducere de 19%.
Această realizare indică faptul că TSMC a făcut progrese tehnologice importante și este pregătită să introducă tehnologia în producția de masă odată cu nodul A14.
În prezent, TSMC desfășoară o producție-pilot pentru a evalua viabilitatea acestui nod semiconductor. Aceasta le permite clienților să testeze modul în care proiectele lor vor funcționa în mediul de producție al companiei.
Progresele în dezvoltarea nodului A14 sunt promițătoare, iar calendarul de implementare avansează datorită rezultatelor inițiale pozitive.
Dacă producția-pilot continuă fără probleme majore legate de randamentul de fabricație sau de procesul de producție, producția de risc este programată să înceapă în 2027, urmată de producția în volum mare în 2028.
Dacă anul viitor nu apar dificultăți semnificative, TSMC ar putea chiar să devanseze calendarul de producție cu câteva luni.
Comparativ cu nodul N2 pe 2 nm, a cărui producție în volum a fost anunțată recent, procesul A14 oferă, potrivit TSMC, performanțe cu până la 15% mai mari la același nivel de consum sau o reducere a consumului de energie de până la 30% la aceeași frecvență.
TSMC mai susține că noul proces aduce o creștere de 20% a densității componentelor logice, alături de o îmbunătățire semnificativă, de 19%, a densității SRAM.
Acest progres reprezintă un pas important înainte, deoarece atât componentele logice, cât și memoria pot beneficia acum de o miniaturizare mai eficientă, cu salturi mai mari de la un nod de fabricație la altul. Situația contrastează cu perioada precedentă, caracterizată de nodurile tehnologice sub 10 nm, în care miniaturizarea memoriei SRAM a întâmpinat dificultăți tot mai mari.
Nodul A14 va fi implementat inițial în Taiwan, la sediul principal al TSMC, unde compania intenționează să înceapă producția de masă în 2028.
About the Author
