Micron și-a modificat foaia de parcurs pentru memoria NAND. În cadrul unui webinar recent dedicat tehnologiei și produselor sale, compania a anunțat memoria 3D NAND din generația a 11-a (G11), fără să menționeze o generație G10. ComputerBase observă că omiterea unor numere de generație este ceva obișnuit în industrie. Kioxia și Sandisk au trecut direct de la BiCS6 la BiCS8, astfel încât denumirea reprezintă adesea o alegere de nomenclatură, nu neapărat o etapă arhitecturală distinctă.
În cazul Micron, saltul specificațiilor sugerează o schimbare importantă a procesului de fabricație.
Cea mai importantă cifră din anunț este numărul de straturi. Memoria G9, utilizată în produse precum SSD-ul Crucial P510, are 276 de straturi. Pentru G11, Micron specifică acum „peste 400”, ceea ce reprezintă o creștere de cel puțin 45%. Combinând acest lucru cu un nou proces de fabricație și cu ceea ce Micron numește un pas între celule („cell pitch”) lider în industrie, compania se așteaptă ca densitatea de biți să se dubleze aproximativ față de G9.
ComputerBase pornește de la valoarea de 21 Gbit/mm² menționată anterior pentru memoria G9 TLC și estimează o densitate de aproximativ 42 Gbit/mm² pentru G11. Aceasta este o estimare a publicației, nu o valoare confirmată. De asemenea, ComputerBase subliniază că un cip TLC și unul QLC nu pot fi comparate direct, deoarece Micron nu a precizat pentru ce tip de memorie este valabilă comparația densității.
G11 va adopta, de asemenea, tehnologia de îmbinare wafer-on-wafer, prin care matricea celulelor de memorie și circuitele logice de intrare/ieșire (I/O) sunt fabricate pe plachete de siliciu separate, apoi unite ulterior. YMTC a introdus prima această abordare, fiind urmată de Kioxia și Sandisk, iar apoi de Samsung. Prin adoptarea acestei tehnologii începând cu G11, Micron își aliniază memoria NAND cu restul industriei în această privință.
Viteza interfeței reprezintă al doilea parametru important. Micron indică o interfață cu o viteză cu până la 50% mai mare decât cea a generației G9. Având în vedere că G9 atinge 3,6 Gbit/s, acest lucru sugerează o viteză de până la aproximativ 5,4 Gbit/s.
Pentru comparație, ComputerBase menționează o viteză de 4,8 Gbit/s pentru BiCS10, în timp ce Samsung a promis 5,6 Gbit/s pentru generația sa V10. Micron mai specifică o reducere de peste 25% a energiei necesare pentru transferul unui bit, comparativ cu G9.
Calendarul lansării reprezintă principala limitare în ceea ce privește relevanța tehnologiei pe termen scurt. Micron afirmă că producția în volum a memoriei G11 va începe în a doua jumătate a anului 2027, astfel încât SSD-urile pentru consumatori care o vor utiliza vor apărea ulterior.
Foaia de parcurs nu include o generație G12, dar menționează o „arhitectură a celulelor cu densitate ultra-ridicată” („Ultra Dense cell architecture”) și un „material cu mobilitate ridicată, revoluționar” („breakthrough high-mobility material”). ComputerBase interpretează aceste informații ca indicii privind utilizarea unor celule mai mici sau reducerea distanței dintre acestea și, cel mai probabil, înlocuirea canalului din polisiliciu cu un material care permite o mobilitate mai mare a electronilor.
În cazul stocării pe PC, efectul practic ar putea consta în capacități mai mari pentru fiecare pachet de memorie și viteze mai ridicate ale interfeței dintre controler și memoria NAND, în limitele impuse de conexiunea PCIe și de proiectarea controlerului.
Micron nu a dezvăluit încă informații despre costul per bit, prețurile SSD-urilor sau alegerea dintre variantele TLC și QLC. Având în vedere situația actuală a prețurilor memoriilor, creșterea densității este aspectul cel mai probabil să influențeze prețurile SSD-urilor după apariția produselor G11, deși compania nu a publicat nicio estimare de preț.
| Specificație | Micron G9 | Micron G11 (anunțată) |
|---|---|---|
| Număr de straturi | 276 | Peste 400 |
| Densitatea de biți | ~21 Gbit/mm² (TLC, valoare citată) | De aproximativ 2 ori mai mare decât G9 (estimarea ComputerBase: ~42 Gbit/mm², neconfirmată) |
| Viteza interfeței | 3,6 Gbit/s | Cu până la 50% mai mare (echivalentul a până la ~5,4 Gbit/s) |
| Energia per bit transferat | Valoare de referință | Cu peste 25% mai mică |
| Tehnologia de îmbinare | Nu se aplică / nespecificată | Wafer-on-wafer |
| Producția în volum | În producție | A doua jumătate a anului 2027 |
About the Author
